onsemi EliteSiC MOSFETとのペアリングゲートドライバ
EV充電、エネルギー・ストレージ、無停電電力システム(UPS) 、太陽光発電のようなエネルギー・インフラのアプリケーションは、数百キロワット、メガワットまでシステム電力レベルを押し上げています。これらのハイパワー・アプリケーションは、ハーフブリッジ、フルブリッジ、そしてインバータとBLDCに対して最大6つのスイッチまでの3相トポロジ負荷サイクルを採用しています。システム設計者は電力レベルとスイッチング速度に応じて、アプリケーション要件に最適なシリコン、IGBT、SiCなどのさまざまなスイッチ技術を検討します。
これらのようなハイパワー・アプリケーションでIGBTは、シリコン・ソリューションに比べて優れた熱性能を提供しますが、OnsemiのEliteSiCはより高いスイッチング速度とハイパワーの両方を可能にします。Onsemiは、650V〜1700Vの破壊電圧範囲で、RDS（ON）が最小12mΩのSIC MOSFETの完全なポートフォリオを提供しています。しかし、システム効率を最大化し、総電力損失を最小限に抑えるには、すべてのSiC MOSFETに適切なゲートドライバが必要です。下記の使いやすい表は、適切なゲートドライバを各SiC MOSFETにペアリングします。
アプリケーション
- EV充電
- エネルギーストレージ
- 無停電電源システム（UPS）
- ソーラー
ブロック図
ビデオ
注目のゲートドライバ
onsemi NCP51561 5kVRMS絶縁デュアルチャンネル・ゲートドライバ
4.5A/9Aソースとシンクのピーク電流をそれぞれ提供する絶縁型デュアル・チャネル・ゲート・ドライバ。
onsemi NCD5700/NCD5701 IGBTゲートドライバ
大電流、高パフォーマンスIGBTゲートドライバは、高出力アプリケーション用です。
onsemi NCV5700高電流IGBTゲートドライバ
+4/-6A IGBT Miller Plateu電圧での高電流出力が特徴です。
onsemi NCV51563絶縁型デュアルチャンネルゲートドライバ
高速スイッチング電源スイッチ用4.5Aソースと9Aシンクピーク電流 をサポート
onsemi NCD57000 & NCD57001大電流IGBTドライバ
内部ガルバニック絶縁されているシングルチャンネルIGBTドライバで、高電力アプリケーションに最適です。
onsemi NCV57000絶縁大電流IGBTゲートドライバ
ハイパワー・アプリケーションでの高システム効率と信頼性を目的に設計されています。
onsemi NCD57001FDWR2G絶縁型IGBTゲートドライバ
高いシステム効率性のために設計された、内部ガルバニック絶縁のシングルチャンネルIGBTドライバ。
onsemi NCV57001絶縁高電流IGBTゲートドライバ
ハイパワー・アプリケーションでの高システム効率と信頼性を目的に設計されています。
onsemi NCV57001F IGBTゲートドライバ
ガルバニック絶縁内蔵のシングルチャネルIGBTドライバであり、高システム効率のために設計されています。
onsemi NCD57090 & NCV57090 IGBT/MOSFETゲートドライバ
5kVrmsガルバニック絶縁内蔵の高電流シングルチャネルIGBT/MOSFETゲートドライバです。
onsemi NCx575x0絶縁デュアルチャネルIGBTゲートドライバ
入力から各出力への内部のガルバニック絶縁が5kVRMS です。
onsemi NCx57091 IGBT/MOSFETゲートドライバ
5kVRMSの内部ガルバニック絶縁での、大電流シングルチャンネルドライバです。
onsemi NCD57100ゲートドライバ
内部ガルバニック絶縁を備えた高電流単チャンネルIGBTドライバ。
onsemi NCP51560絶縁デュアルチャンネル・ゲートドライバ
4.5Aピークソースと9Aピークシンク出力電流機能が備わっています。
onsemi NCP51563ゲートドライバ
パワーMOSFETおよびSiC MOSFETパワースイッチを駆動する高速スイッチング用に設計された絶縁ドライバです。
onsemi NCV51561絶縁型デュアルチャンネル・ゲートドライバ
短い整合伝搬遅延での4.5Aソースおよび9Aシンクピーク電流が特徴です。
注目のEliteSiC MOSFET
onsemi 650Vシリコンカーバイド（SiC）MOSFET
シリコンに比べて優れたスイッチング性能とさらに高い信頼性を実現しています。
onsemi 900V EliteSiC（シリコンカーバイド）MOSFET
シリコンに比べて優れたスイッチング性能とさらに高い信頼性を実現しています。
onsemi 1200V EliteSiC（シリコンカーバイド）MOSFET
シリコンに比べて優れたスイッチング性能と高い信頼性を実現しています。
onsemi NxHL080N120SC1 NチャンネルSiC MOSFET
1200V、80mΩ、高速スイッチング、AEC-Q101車載用認定を受けており、TO247-3Lパッケージでご用意があります。
onsemi NTBG028N170M1 1700V炭化ケイ素（SIC）MOSFET
高速スイッチング・アプリケーション用に最適化されています。
onsemi NTBG060N065SC1 44mohm シリコンカーバイドMOSFET
A D2PAK-7Lパッケージに格納されており、高速かつ堅牢に設計されています。
onsemi NVBG020N120SC1 NチャンネルシリコンカーバイドMOSFET
優れたスイッチング性能とさらなる高信頼性を実現しているテクノロジーが採用されています。
onsemi NVBG080N120SC1 1200V SiC MOSFET
高効率、高速動作周波数、電力密度の増大、EMIの削減が特徴です。
onsemi NVBG160N120SC1 160mΩ SiC MOSFET
1200VDSS 、最大160mΩのRDS(on) 、最大19.5AのID が特長で、AEC-Q101の認定を取得しています。
onsemi NTBL045N065SC1 33mohm 炭化ケイ素MOSFET
TOLL NTBL045N065SC1 パッケージに収納され、高速かつ頑丈に設計されています。
onsemi NTH4L025N065SC1 19mohmシリコンカーバイドMOSFET
TO-247-4Lパッケージに格納されており、高速かつ堅牢に設計されています。
onsemi NTH4L028N170M1 1700V EliteSiC MOSFET
エネルギーおよび工業駆動アプリケーションを対象に、信頼性が高く効率性の高い性能を実現しています。
onsemi NTH4L060N065SC1シリコンカーバイド（SiC）MOSFET
優れたスイッチング性能と高い信頼性を実現しています。
onsemi NTH4L075N065SC1 57mohmシリコンカーバイド MOSFET
TO-247-4Lパッケージに格納されており、高速かつ堅牢に設計されています。
onsemi NTHL025N065SC1シリコンカーバイド（SiC）MOSFET
優れたスイッチング性能と高い信頼性を実現しています。
onsemi NTHL060N065SC1シリコンカーバイド（SiC）MOSFET
優れたスイッチング性能と高い信頼性を実現しています。
onsemi NTHL080N120SC1A NチャンネルSiC MOSFET
優れたスイッチング性能、高信頼性、低いオン抵抗を提供します。
onsemi NTHL015N065SC1 12mohmシリコンカーバイドMOSFET
TO-247-3Lパッケージに格納されており、高速かつ堅牢に設計されています。
onsemi NVH4L015N065SC1シリコンカーバイド（SiC）MOSFET
シリコンに比べて優れたスイッチング性能と高い信頼性を実現しています。
onsemi NTBG1000N170M1シリコンカーバイド（SIC）MOSFET
20Vのゲートドライブで駆動する際の最適な性能が備わっており、18Vのゲートドライブで首尾よく作動します。
onsemi NVBG030N120M3Sシリコンカーバイド(SiC) MOSFET
高速スイッチングアプリケーション向けに最適化されたAEC-Q101認定1200V M3Sプレーナ・エリセシックMOSFETです。
onsemi NVBG070N120M3Sシリコンカーバイド(SiC) MOSFET
高速スイッチングアプリケーション用に設計されている1200V M3SプレーナEliteSiC MOSFETです。
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